北京1995年获国家杰出青年基金资助。

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相比于传统自上而下的刻蚀制备工艺，源年推自组装生长半导体纳米线结构在尺寸调控、源年推制备成本和三维形貌等方面有着显著的优势，近年来在高性能逻辑、生物传感和柔性显示等新兴应用领域中广受关注。最后，替代文章还探讨了平面纳米线生长在制备超可拉伸纳米线弹簧沟道和高密度三维集成方向的应用潜力。在IPSLS纳米线器件应用方面，行动课题组在近期成功实现了可定位集成的平面纳米线阵列生长制备技术和高性能场效应薄膜晶体管（TFT）器件，行动展示了高开关比Ion/Ioff5x108，低亚阈值摆幅100mV/dec和较高的空穴迁移率80 cm2/Vs以及反相器逻辑功能。

动绿（右）利用VLS生长并转移组装的Ge/Si核壳结构纳米线阵列逻辑原型器件。为此，力市可以采用ContactPrinting,Microfluidicflow,Bubblefilm,Langmuir-Blodgett,Electric/Magneticfieldassisted等一系列不同的技术方案。

基于此IPSLS生长模式，场化可以方便地实现平面同质／异质定向外延生长，还能够利用可以方便定义的台阶边缘对纳米线进行精准定位引导。

应用图7：（左）纳米线鳍形晶体管fin-FET器件特性。Figure4(a–f)inoperandoUV-visspectradetectedduringthefirstdischargeofaLi–Sbattery(a)thebatteryunitwithasealedglasswindowforinoperandoUV-visset-up.(b)Photographsofsixdifferentcatholytesolutions;(c)thecollecteddischargevoltageswereusedfortheinsituUV-vismode;(d)thecorrespondingUV-visspectrafirst-orderderivativecurvesofdifferentstoichiometriccompounds;thecorrespondingUV-visspectrafirst-orderderivativecurvesof(e)rGO/Sand(f)GSH/SelectrodesatC/3,respectively.理论计算分析随着能源材料的大力发展，北京计算材料科学如密度泛函理论计算，北京分子动力学模拟等领域的计算运用也得到了大幅度的提升，如今已经成为原子尺度上材料计算模拟的重要基础和核心技术，为新材料的研发提供扎实的理论分析基础。

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